Experimentální ověření vlastností Schottkyho diody pro použití v dozimetrii.

NázevTitle

Experimentální ověření vlastností Schottkyho diody pro použití v dozimetrii.The experimental verifying of the properities of the Schottky diode for using in dosimetry.

ProgramProgramme

Studentská grantová soutěž ČVUTStudentská grantová soutěž ČVUT

Kód CEPCEP code

Datum zahájeníStart date

2012-02-27

Datum ukončeníEnd date

2014-12-31

Vztah ČVUTCTU relation

ČVUT je v pozici příjemce jako jediný účastník projektuCTU is the only beneficiary participant in the project

Řešitel ČVUTCTU investigator

prof. RNDr. Bruno Sopko, DrSc.

Řešitelský tým (ÚTEF)Team (UTEF)

Ing. Vít Sopko, Ph.D. (člen řešitelského týmuresearch team member)

AbstraktAbstract

Cílem projektu je experimentální ověření radiační odolnosti polovodičových detektorů záření. Jedná se především o struktury se Schottkyho diodami, které budou vystaveny toku protonů a neutronů 1x10e10 1/cm2 až 1x10e15 1/cm2 o energiích 19 až 29 MeV u nichž bude sledována závislost vzniku radiačních mřížkových poruch. Následně bude testována časová a teplotní závislost regeneračních schopností Schottkyho diod.

The aim of the project is experimental verifying of the radiation resistance of the semiconductors devices concerning mainly Schottky diodes will be irradiated by protons and neutrons beam with energy 19 - 29 MeV and fluence 1.10e10 1/cm2 - 1.10e15 1/cm2. There will be monitored the dependence of the evolution of the crystal lattice defects. There will be consequently tested the time and temperature dependence of the Schottky diodes regenerative abilities.

Experimentální ověření vlastností Schottkyho diody pro použití v dozimetrii.

AbstraktAbstract

VýsledkyResults