Experimentální ověření vlastností Schottkyho diody pro použití v dozimetrii.

NázevTitle

Experimentální ověření vlastností Schottkyho diody pro použití v dozimetrii.The experimental verifying of the properities of the Schottky diode for using in dosimetry.

ProgramProgramme

Studentská grantová soutěž ČVUTStudentská grantová soutěž ČVUT

Doba řešeníDuration

2012-02-27 – 2014-12-31 ukončenýconcluded

Vztah ČVUTCTU relation

ČVUT je v pozici příjemce jako jediný účastník projektuCTU is the only beneficiary participant in the project

Řešitel ČVUTCTU investigator

prof. RNDr. Bruno Sopko, DrSc.

Řešitelský tým (ÚTEF)Team (IEAP)

Ing. Vít Sopko, Ph.D. (člen řešitelského týmuresearch team member)

AbstraktAbstract

Cílem projektu je experimentální ověření radiační odolnosti polovodičových detektorů záření. Jedná se především o struktury se Schottkyho diodami, které budou vystaveny toku protonů a neutronů 1x10e10 1/cm2 až 1x10e15 1/cm2 o energiích 19 až 29 MeV u nichž bude sledována závislost vzniku radiačních mřížkových poruch. Následně bude testována časová a teplotní závislost regeneračních schopností Schottkyho diod.

The aim of the project is experimental verifying of the radiation resistance of the semiconductors devices concerning mainly Schottky diodes will be irradiated by protons and neutrons beam with energy 19 - 29 MeV and fluence 1.10e10 1/cm2 - 1.10e15 1/cm2. There will be monitored the dependence of the evolution of the crystal lattice defects. There will be consequently tested the time and temperature dependence of the Schottky diodes regenerative abilities.

VýsledkyResults

všeall Článek v časopiseJournal article 3 Příspěvek ve sborníkuProceedings paper 2

20151

Study of the development of defects in Si PIN diodes exposed to 23 GeV/c protonsStudy of the development of defects in Si PIN diodes exposed to 23 GeV/c protons Článek v časopiseJournal article

20132

Study of PIN diode energy traps created by neutronsStudy of PIN diode energy traps created by neutrons Článek v časopiseJournal article
Development of defects in the structure of PIN dosimetry diodes exposed to gamma radiationDevelopment of defects in the structure of PIN dosimetry diodes exposed to gamma radiation Článek v časopiseJournal article

20122

Study of PIN Diode Energy Traps Created by NeutronsStudy of PIN Diode Energy Traps Created by Neutrons Příspěvek ve sborníkuProceedings paper
Influence of irradiation on defects creation in PIN diode structureInfluence of irradiation on defects creation in PIN diode structure Příspěvek ve sborníkuProceedings paper